MS6120の修理

MSIのDualマザーにMS6120というのがあり、このボードを昔購入したのですが、 どうにもメモリアクセスが遅いのです。

WinTune97 Read2048=240MB/s、Write2048=93MB/s

なお、最近のMS6120、及び、MS6120Nは、ボードのバージョンが1.1になっており、 メモリアクセスの問題はありません。 ボードのバージョンはPCIスロットの間に白字で印刷してあります。

で、WPCREDIT (H.Oda!さん のダウンロードページにあります) で、BXのコンフィギュレーションを他のBXボードと比較したところ、 オフセット50のbit2、In-Order Queue DepthがOFFになっていることがわかりました。 これがOFFになっていると、メモリアクセスがキューイングされないため、 遅くなるようです。

BXチップセットのマニュアルによると、この部分は、 BXのMAB11を10KでプルダウンしておくとOFFに、開放(デフォルト)ではONになります。 ということは、プルダウン抵抗が入っているのではないでしょうか? BXのMAB11は、DIMMスロット3,4のBA0信号(122番ピン)につながっています。

で、この信号をプルダウンしている抵抗を探していたら、 なんと、DIMMスロット2と3の間のせまい隙間の真中あたりの抵抗がそれでした。

で、この抵抗へ行く線を切ればいいんですが、 スロットの間のすきまがあまりに狭かったので、 部品面からカッターナイフは困難と判断し、 GNDへ行くスルーホール(上図丸印)を、パターン面から0.8mmのドリルで座ぐりして、 切断しました。

この処置のあと、メモリスピードを計ってみました。

WinTune97 Read2048=370MB/s、Write2048=180MB/s

Dualとしての動作も、NTのインストール作業とか各種ベンチとかやってみましたが、 特に問題はないようです。 ちなみに最近のMS6120(VER1.1)には、この抵抗そのものがありません… MSI〜!

注意: 結構なテクニックが要求されます。自信のない方にはおすすめしません。
適用結果がどうなろうと責任は負えませんし、サポートもしません。あしからず。
(99-7-9)

どうもこのMS6120のバージョン1、 BXのES品(エンジニアリングサンプル)で設計したようです。 BXのES品と現行品の違いは、BXデザインガイドから読み取れる範囲で、

  1. ES品はWSCをプルアップする必要がある
    →このボードではプルアップしてある
  2. ES品は66/100ストラップ(MAB12)の動作が逆
    →SW1-5の説明が逆になっている
となっています。MSI〜!
(99-7-18)

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